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同步动态随机存取存储器（sdram：synchronous dram）

中央处理器（cpu）与主机板上的主存储器（sdram）存取资料时的“工作时脉”（clock）相同，故称为“同步”（synchronous）。由于 cpu 在存取资料时不需要“等待”（wait）因此效率较高，sdram 的存取速度较 dram 快，所以早期电脑主机板上都是使用 sdram 来取代传统 dram，不过目前也只有少数工业电脑仍然使用 sdram。

dram 使用一个电晶体（mos）与一个电容来储存一个位的资料（一个 0 或一个 1），如图四（a）所示，全国175度eeprom存储器，当电晶体（mos）不导通时没有电子流过，油田150度eeprom存储器，电容没有电荷，代表这一个位的资料是 0，如图四（b）所示；当电晶体（mos）导通时（在闸极施加正电压），电子会由源极流向汲极，电容有电荷，代表这一个位的资料是 1，为了要将这些流过来的电荷“储存起来”，因此必须使用一个微小的电容，如图四（c）所示，dram 就是因为电容需要时间充电，所以速度比 sram 还慢。

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数据存储器：与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含sram(易失性)和eeprom(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部eeprom，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计---可以选择外部的串行eeprom或串行闪存器件。当然，也可以使用并行eeprom或闪存，但通常它们只被用作程序存储器。当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行sram并使用外部串行eeprom器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。针对非易失性存储器要求，串行eeprom器件支持i2c、spi或微线(microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用spi总线。由于写入速度很快且带有i2c和spi串行接口，油田200度eeprom存储器，fram在一些系统中得到应用。

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铁电存储器(fram，ferroelectric ram)是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器(dram)的快速读取和写入访问--它是个人电脑存储中常用的类型--与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存)结合起来。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器(dram)和静态随机存取存储器(sram)一样密集(即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据)，它很可能不能取代这些技术。然而，由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用，比如个人数字助理(pda)、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器(fram)比闪存更快。在一些应用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器(eeprom)和静态随机存取存储器(sram)，并成为未来的无线产品的关键元件。