经营200度flash芯片种类-flash芯片-北京启尔特

中央处理器（cpu）与主机板上的主存储器（sdram）存取资料时的“工作时脉”（clock）相同，故称为“同步”（synchronous）。由于 cpu 在存取资料时不需要“等待”（wait）因此效率较高，sdram 的存取速度较 dram 快，所以早期电脑主机板上都是使用 sdram 来取代传统 dram，不过目前也只有少数工业电脑仍然使用 sdram。

dram 使用一个电晶体（mos）与一个电容来储存一个位的资料（一个 0 或一个 1），如图四（a）所示，当电晶体（mos）不导通时没有电子流过，电容没有电荷，代表这一个位的资料是 0，如图四（b）所示；当电晶体（mos）导通时（在闸极施加正电压），电子会由源极流向汲极，经营200度flash芯片种类，电容有电荷，代表这一个位的资料是 1，为了要将这些流过来的电荷“储存起来”，因此必须使用一个微小的电容，如图四（c）所示，dram 就是因为电容需要时间充电，所以速度比 sram 还慢。

高温150度存储器

北京启尔特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高温存储器，美国原厂进口，耐高温，性能稳定，各种容量都有，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！

fram产品具有ram和rom优点，读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点，访问次数是有限的，超出了限度，fram就不再具有非易失性。ramtron给出的访问次数是100万次，比flash---10倍，经营150度flash芯片种类，但是并不是说在超过这个次数之后，fram就会报废，而是它仅仅没有了非易失性，但它仍可像普通ram一样使用。

150度高温存储器

北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器，此款存储器存储容量256kb，温度可到175度，很多客户采用串联方式使用，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！

eeprom与闪存存储器：技术的成熟使得ram和rom之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如eeprom和闪存)组合了两者的特性。这些器件像ram一样进行读写，并像rom一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。从软件角度看，独立的eeprom和闪存器件是类似的，两者主要差别是eeprom器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用sram，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计---也必须确认在修改数据时有足够容量的sram可用。存储器密度是决定选择串行eeprom或者闪存的另一个因素。市场上可用的独立串行eeprom器件的容量在128kb或以下，独立闪存器件的容量在32kb或以上。