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测井175度高温存储器
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同步动态随机存取存储器(sdram:synchronous dram)
中央处理器(cpu)与主机板上的主存储器(sdram)存取资料时的“工作时脉”(clock)相同,故称为“同步”(synchronous)。由于 cpu 在存取资料时不需要“等待”(wait)因此效率较高,进口存储器,sdram 的存取速度较 dram 快,所以早期电脑主机板上都是使用 sdram 来取代传统 dram,不过目前也只有少数工业电脑仍然使用 sdram。
dram 使用一个电晶体(mos)与一个电容来储存一个位的资料(一个 0 或一个 1),如图四(a)所示,当电晶体(mos)不导通时没有电子流过,电容没有电荷,代表这一个位的资料是 0,如图四(b)所示;当电晶体(mos)导通时(在闸极施加正电压),电子会由源极流向汲极,电容有电荷,代表这一个位的资料是 1,为了要将这些流过来的电荷“储存起来”,因此必须使用一个微小的电容,175度进口存储器多少钱,如图四(c)所示,dram 就是因为电容需要时间充电,145度高温进口存储器多少钱,所以速度比 sram 还慢。
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高温150度进口存储器
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特殊功能寄存器
特殊功能寄存器(sfr)的地址范围为80h~ffh。在mcs-51中,除程序计数器pc和四个工作寄存器区外,其余21个特殊功能寄存器都在这sfr块中。其中5个是双字节寄存器,它们共占用了26个字节。各特殊功能寄存器的符号和地址见附表2。其中带*号的可位寻址。特殊功能寄存器反映了8051的状态,实际上是8051的状态字及控制字寄存器。用于cpu psw便是典型一例。这些特殊功能寄存器大体---为两类,一类与芯片的引脚有关,另一类作片内功能的控制用。与芯片引脚有关的特殊功能寄存器是p0~p3,它们实际上是4个八位锁存器(每个i/o口一个),每个锁存器附加有相应的输出驱动器和输入缓冲器就构成了一个并行口。mcs-51共有p0~p3四个这样的并行口,可提供32根i/o线,每根线都是双向的,并且大都有第二功能。其余用于芯片控制的寄存器中,累加器a、标志寄存器psw、数据指针dptr等的功能前已提及,而另一些寄存器的功能在后面有关部分再作进一步介绍
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双倍数据速率1 存储器 (ddr1)1代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (tsop) 或球形网格阵列 (bga)封装。双倍数据速率1 存储器 (ddr1) 提供高 400 兆赫(mhz)的传输速率,存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (ddr1) 存储器需 2.5v的电压及4,8,16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (ddr2) 的区别: 双倍数据速率1 存储器 (ddr1) 存取和等待时间较短。
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