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150度高温存储器25lc256
北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器,此款存储器存储容量256kb,温度可到175度,很多客户采用串联方式使用,适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域,感兴趣的客户,欢迎来电咨询!

数据存储器:与程序存储器类似,数据存储器可以位于微控制器内部,或者是外部器件,但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含sram(易失性)和eeprom(非易失)两种数据存储器,但有时不包含内部eeprom,200度存储器,在这种情况下,当需要存储大量数据时,设计---可以选择外部的串行eeprom或串行闪存器件。当然,也可以使用并行eeprom或闪存,但通常它们只被用作程序存储器。当需要外部高速数据存储器时,通常选择并行sram并使用外部串行eeprom器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器,但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。针对非易失性存储器要求,串行eeprom器件支持i2c、spi或微线(microwire)通讯总线,而串行闪存通常使用spi总线。由于写入速度很快且带有i2c和spi串行接口,fram在一些系统中得到应用。
高温150度存储器销售
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1.fram与e2prom
fram可以作为e2prom的第二种选择,它除了e2prom的性能外,访问速度要快得多。但是决定使用fram之前,必须确定系统中一旦超出对fram的100万次访问之后不会有危险。
2.fram与sram
从速度、价格及使用方便来看sram优于fram,但是从整个设计来看,fram还有一定的优势。
假设设计中需要大约3k字节的sram,还要几百个字节用来保存启动代码的e2prom配置。
非易失性的fram可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的访问速度是70ns,那么可以使用一片fram完成这个系统,使系统结构简单。
销售225度高温精密存储器
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按存储器的性质分类 ⑴ram随机存取存储器(random access memory) cpu根据ram的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,ram又分为两类: sram静态ram(static ram) 静态ram速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个mos管组成1位。集成度较低,测井200度存储器参数,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(cache memory)用它组成。 dram动态ram(dynamic ram) dram内容在 或 秒之后自动消失,因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新(refresh)。由于他的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成,因此他的集成成本较低,另外耗电也少,但是需要刷新电路。⑵rom只读存储器(read only memory) rom存储器将程序及数据固化在芯片中,200度存储器参数,数据只能读出不能写入。电源关掉,数据也不会丢失。rom按集成电路的内部结构可以分为:prom可编程rom(programable rom )将设计的程序固化进去,rom内容不可更改。eprom可擦除、可编程(erasable prom)可编程固化程序,且在程序固化后可通过紫外线光照擦除,以便重新固化新数据。eeprom电可擦除可编程(electrically erasable prom) 可编程固化程序,并可利用电压来擦除芯片内容,以便重新固化新数据。
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